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晶圆检测方法及项目

康派斯集团提供全面的晶圆材料检测服务，涵盖、显微表征、成分分析、失效分析及可靠性验证。检测表金属和体金属含量；显微表征利用FIB、FESEM-EDS、TEM等仪器，观察晶圆微观形貌和缺陷；成分分析通过FTIR、NMR、EDS等手段，评估晶圆表面异物和材料成分。失效分析和可靠性验证则借助FIB、SEM、SIRP、CT、TGA等技术，分析缺陷原因并验证材料在不同环境下的稳定性。这些检测服务

阅读：10077+ 时间：2025-04-22 源于：95 作者：ccpst 电话：400-9621-929

康派斯集团提供全面的晶圆材料检测服务，涵盖、显微表征、成分分析、失效分析及可靠性验证。检测表金属和体金属含量；显微表征利用FIB、FESEM-EDS、TEM等仪器，观察晶圆微观形貌和缺陷；成分分析通过FTIR、NMR、EDS等手段，评估晶圆表面异物和材料成分。失效分析和可靠性验证则借助FIB、SEM、SIRP、CT、TGA等技术，分析缺陷原因并验证材料在不同环境下的稳定性。这些检测服务广泛应用于晶圆制造、封装和研发过程，为晶圆材料的质量控制提供科学依据，确保其在半导体制造中的可靠性和性能。

晶圆测试项目

 晶圆材料显微表征

仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景
FIB 定点制样、成像 硅晶圆、碳化硅晶圆 快速、高质量制样，观察缺陷
FESEM-EDS 微观形貌/尺寸、镀层厚度分析、元素分析 硅晶圆、碳化硅晶圆 点扫、线扫、面扫元素分布
TEM 微观形貌/尺寸、电子衍射图片、晶格面分析、元素分析 硅晶圆、碳化硅晶圆 二维晶格面、明/暗场图片
AFM 表面粗糙度、形貌、膜层厚度 硅晶圆、碳化硅晶圆 表面形貌、粗糙度分析
XRT 晶圆缺陷测试 硅、碳化硅晶圆 检测晶圆缺陷
SIRD 边缘缺陷测试 硅、氮化镓、砷化镓 检测边缘缺陷
KLA SP1/SP3/SP5/SP7 表面颗粒物/缺陷形貌 硅晶圆 检测表面颗粒物和缺陷
速普FST5000 薄膜应力测试 SiO2、SiC、蓝宝石 测试薄膜应力
EDR7380 颗粒物成分分析 搭配KLA SP3/SP5 检测12寸硅晶圆表面颗粒物成分
4PP 电阻率测试 晶圆材料 测试电阻率
Wafersight 2 成分和纵向分布分析 晶圆材料 研究SEI膜成分

晶圆材料成分分析

仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景
FTIR 红外定性分析 晶圆表面异物 晶圆表面异物的红外光谱分析
NMR 核磁定量分析 晶圆表面异物 晶圆表面异物的核磁共振分析
EDS 元素种类与含量测试 晶圆材料 点扫、线扫、面扫元素分布
AAS 微量金属元素测试 晶圆原材料 测试微量常见金属、重金属及稀土金属含量
EELS 元素成分分析 晶圆材料 特别适合轻元素分析
GC 有机物及挥发组分分析 晶圆表面析出气体 分离、定性及定量分析小分子有机物
高频红外碳硫分析仪 碳硫含量分析 晶圆材料 获得碳和硫含量
XRD 晶体结构分析 晶圆材料、涂层 晶体结构、结晶度、石墨化度、取向度（OI值）
UV/VIS/IR 透射率、吸收度、反射性质分析 溶液 溶液光学性质分析
AES 表面化学信息分析 异物表面 大于20 nm直径异物的化学信息

晶圆材料可靠性验证

仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景
CT 内外部测量、断层扫描、尺寸比对、壁厚分析、缺陷查找与分析 晶圆材料 无损检测，分析内部和外部缺陷
TGA 热稳定性研究 晶圆材料 材料热稳定性及组分分析
TGA-IR-GCMS 热分解过程分析 晶圆材料 热分解产物类别及含量分析 
DMA 力学性能测试 晶圆材料 模量、阻尼、蠕变、应力松弛等参数
TMA 热膨胀与收缩性评估 晶圆材料 材料在加热情况下的扩张性和收缩性

晶圆材料失效分析

仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景
FIB 缺陷点切割制样 晶圆缺陷 制样后观察缺陷
SEM 显微缺陷观察 晶圆材料 显微层面缺陷观察
SIRP 缺陷分析 晶圆材料 高温边缘缺陷、外延炉老化缺陷、Support in造成的Pin Mark缺陷
AFM 表面观察、尺寸测定、粗糙度分析、缺陷分析 晶圆材料 表面形貌、粗糙度、颗粒度解析
X-RAY 无损检测 晶圆材料 基于X射线吸收差异检测缺陷

晶圆材料洁净度测试

仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景
ICP-MS 表金属测试 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片 检测表面金属杂质含量
ICP-MS/MS 体金属测试 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、碳化硅晶圆 检测体金属杂质含量
VPD-ICP-MS/MS 表金属测试 硅片、硅晶圆、碳化硅晶圆 检测表面金属杂质
TXRF 表面金属元素测试 硅晶圆、碳化硅晶圆 检测表面金属元素
GDMS 全元素成分分析 固体样品 检测从锂到铀的所有元素
D-SIMS Bulk元素分析 硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底 测试B、P、C、O、N、H、As等元素
D-SIMS深度分析 深度元素分析 硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底 深度方向B、P、C、O、N、H、As等元素分布
离子色谱IC 阴阳离子测试 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片 检测阴阳离子含量
SPV Fe测试 硅晶圆、碳化硅晶圆 检测铁含量
SRP 深度P、B测试 硅晶圆、碳化硅晶圆 检测深度方向P、B分布

晶圆测试内容

晶圆粗糙度测试

  • 硅、氮化镓、砷化镓衬底表面粗糙度

  • 8 寸晶圆：3D 轮廓仪

晶圆膜厚测试

  • 椭偏仪测试 6 寸硅晶圆原子层沉积 SiO2 膜层厚度

  • 椭偏仪测试光刻胶、顶硅、二氧化硅三层薄膜的厚度

晶圆缺陷测试

  • SIRD 测硅、氮化镓、砷化镓衬底边缘缺陷

  • KLA8420/8520 测试碳化硅缺陷

  • XRT 测硅、碳化硅衬底缺陷

晶圆应力测试

  • SIRD 测 12 寸晶圆应力

  • 速普 FST5000 测 8 寸以下透光衬底 (如 SiO2、SiC、蓝宝石) 内应力

  • 速普 FST5000 测 6/8 寸晶圆薄膜应力 (镀膜前后量测差减)

晶圆表面异物试 (Wafer Surface Foreign Object Testing)

  • 表面异物的全成分分

  • 表面固体异物的金属元素 GDMS 测试

  • 表面非固体异物的 ICP 测试

  • 表面异物的阴阳离子测试

 晶圆表面挥发性有机物检测 (Detection of Volatile Organic Compounds on Wafer Surface)

  • 晶圆表面 outgassing 测试

  • VOC 测试

晶圆洁净度测试 (Wafer Cleanliness Test)

晶圆表面金属测试 (Wafer Metal Testing)

  • 6-12 寸硅晶圆：VPD-ICP-MS/MS

  • 4~8 寸硅晶圆、6 寸碳化硅晶圆、6 寸蓝宝石：TXRF

晶圆表面阴阳离子测试 (Wafer Surface Anion and Cation Testing)

  • 6、8 寸硅/碳化硅晶圆：离子色谱仪 (万通 940)

晶圆表面颗粒物测试 (Wafer Surface Particles)

  • KLA SP1、SP3、SP5、SP7

  • SPV 测试铁

  • VPD 测试铜

 电子级硅材料体金属测试

  • 多晶硅料 (7N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)

  • 多晶硅料 (9N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 8900)

  • 石英 (4N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)

  • 多晶硅料/石英：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)

DSIMS 体相测试

  • 硅基 C、H、O、N、B、P、As 在样品中的均匀分布

DSIMS 深度测试

  • 半导体表面金属沾污

  • SiO2/SiC 中氢元素污染测试

  • LED 器件分析

晶圆平整度测试

  • Wafer side 2

  • FM200

 晶圆电阻率测试

  • 霍尔效应

  • 四探针

  • 探针台

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