服务介绍
晶圆应力检测是半导制造过程中极为重要的一环。 传统上晶圆的内应力大多都不是直接测量的，而是通过曲率法间接进行测量的，也就是用各种办法测量出品圆的形变程度(例如翘曲度)，再通过几何形变与应力之间著*的斯托尼方程(StoneysEquation)计算出晶圆的应力。 上图用拉曼光谱法测量半片6时SiC应力分布。(a)未打开真空吸气，样品自然放置在样品盘上，有翘曲但应力分布均匀
服务范围全国
检测周期5-7个工作日，可加急
相关资质可提供CMA、CNAS检测报告
服务模式快递寄样、现场取样、人工送样
服务对象企事业单位、高等院校、科研院所
服务方向采购销售、竞标投标、生产研发、科研数据、诊断优化、司法服务
检测标准国家标准、行业标准、企业标准、地方标准、国外标准、非标定制
服务内容
晶圆应力测试是半导制造过程中极为重要的一环。传统上晶圆的内应力大多都不是直接测量的，而是通过曲率法间接进行测量的，也就是用各种办法测量出品圆的形变程度(例如翘曲度)，再通过几何形变与应力之间著*的斯托尼方程(Stoney'sEquation)计算出晶圆的应力。
上图用拉曼光谱法测量半片6时SiC应力分布。(a)未打开真空吸气，样品自然放置在样品盘上，有翘曲但应力分布均匀;(b)打开真空吸气将样品吸牢在样品盘上，样品中间部位明显出现应力集中区域(伪彩色为红色的区域)。
如图所示，采用共焦方法在样品表面逐点采集SiC拉曼光谱，并对777 cm-1附近的特征峰进行拟合，。通过峰位的移动计算应力的大小，进而得出在整个样品上的分布。我们可以看到未开吸气、样品自然放置的时候，虽然有翘曲但应力分布在整个表面是均匀的;而当打开真空吸气将样品吸牢时，虽然翘曲降低、样品被吸平了，但是中央部分出现了明显应力集中的区域。
从原理上，这种方法测应力，直接反映的就是晶格共价键的形变对声子谱造成的影响，从而与位错等缺陷引起的塑性形变没有直接的关系。当然，对这么大且有翘曲的样品进行拉曼光谱扫描成像的测试，没有带激光自动聚焦跟踪表面功能的自动化扫描系统的支持是不可能的，而这也正是我司面向半导体工业的R1系列晶圆级共焦拉曼光谱仪的主要特色之
晶圆应力测试-设备：
晶圆薄膜应力测量仪设备具备三维翘曲（平整度）、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产
晶圆应力测试-原理：
1、晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。
2、采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。
3、通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。
晶圆应力测试-优势
1、 对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量
2、简单、精确、快速、可重复的测量方式，多功能
3、强大的附加模块：晶圆加热循环模块（最高400度）；表面粗糙度测量模块；粗糙表面晶圆平整度测量模块
晶圆应力测试-适用对象
2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、
封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面
晶圆应力测试-适用领域
1、半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查
2、半导体薄膜工艺的研究与开发
3、半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析
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