二次离子质谱(SIMS)

二次离子质谱(SIMS)可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。该技术可在从几埃(Å)到数十微米(μm)的宽深度范围内提供元素深度剖面。样品表面溅射/蚀刻有一束初级离子(通常 O2+或Cs),而溅射过程中形成的二次离子则使用质谱仪(四极杆,磁扇形或飞行时间)提取和分析。二次离子的浓度范围从基质水平到亚ppm痕量水平。

康派斯是二次离子质谱SIMS分析的行业标准,提供最佳的检测限,以及准确的浓度和层结构识别。康派斯在二次离子质谱SIMS领域的经验深度和范围以及对研发的承诺是无与伦比的。康派斯拥有广泛的二次离子质谱仪器(40多个),由非常合格的专家组成。康派斯还拥有最大的离子注入和批量掺杂标准参考材料库,用于准确的SIMS定量。

 

SIMS理想用途

  • 掺杂剂和杂质深度分析
  • 薄膜(金属、电介质、SiGe、III-V 和 II-VI 材料)的成分和杂质测量
  • 浅层植入物和超薄膜的超高精度深度分辨率分析
  • 批量分析,包括硅中的 B、C、O 和 N
  • 离子注入机或外延反应器等工艺工具的高精度匹配

SIMS优势强项

  • 对掺杂剂和杂质具有出色的检测效果,检测灵敏度为 ppm 或更低
  • 具有出色检测限和深度分辨率的深度剖面图
  • 小面积分析 (1-10 μm)
  • 检测所有元素和同位素,包括 H
  • 出色的动态范围(高达 6 个数量级)
  • 化学计量/组成在某些应用中可能

SIMS缺点限制

  • 破坏性
  • 无化学键信息
  • 样品必须是固体和真空兼容的

SIMS技术规格

  • 检测到的信号:二次离子
  • 检测到的元素:H-U,包括同位素
  • 检测限:>1E10至1E16原子/cm3
  • 深度分辨率: >5 Å
  • 成像/映射:是的
  • 横向分辨率/探头尺寸:≥10 μm(深度剖面);1 μm(成像模式)

SIMS的检测范围

  • 钻石及相关材料
  • 砷化镓
  • 氮化镓
  • 氧化镓
  • 碲化镉
  • 磷化铟
  • 硅和二氧化硅
  • 碳化硅
  • 氧化锌

 

康派斯的二次离子质谱SIMS专家经过专门培训,擅长了解客户的分析需求并优化分析,以最有效地解决他们的顾虑和兴趣。 今天,二次离子质谱SIMS分析用于帮助各行各业的客户进行研发、质量控制、故障分析、故障排除和过程监控。康派斯在整个过程中提供个性化服务,让您全面了解二次离子质谱SIMS实验室测试结果。

您也可以致电400-9621-929与我们联系或填写下方表格,让专家工程师和您讨论具体的需求。

咨询工程师

在线和工程师讨论需求

咨询
电话
留言
微信
售前咨询

售前电话咨询

400-9621-929

售后咨询

售后服务热线

029-88452780

预约专家 请专家与您联系
专业工程师服务,2小时拿方案
康派斯检测集团微信二维码

扫一扫 微信号:15529346814