进动电子衍射(PED)

PED分析可在纳米(nm)尺度上提供材料相,晶体结构和染色水平的可视化。PED的典型应用包括相映射,晶粒取向映射,晶粒尺寸分布分析,织构分析,多晶材料的晶界分析和单晶材料的应变水平映射。

PED分析是对其他结构分析技术的重要补充,例如基于扫描电子显微镜(SEM)的电子背散射衍射(EBSD)和X射线衍射(XRD)。PED在透射电子显微镜(TEM)设置下进行,以更高的分辨率提供结构信息的可视化,但通常需要更复杂的样品制备。Eurofins Nanolab是唯一为所有用户提供PED分析服务的服务实验室。

PED理想用途

  • 多晶材料的结构分析,如半导体金属线、通过沉积、金属/陶瓷膜、多晶膜:
    • 通过相图和晶粒取向图实现材料纳米结构的可视化
    • 晶粒尺寸分布和平均晶粒尺寸分析
    • 通过极点图优先描述生长方向/纹理信息
  • 单晶的应变水平映射,如应变Si/SiGe、III-V族材料量子阱器件

PED优势

  • 可以提供纳米尺度的材料结构可视化
  • 高应变检测灵敏度(< 10^-3级)

PED局限性

  • 显著的样品制备和分析时间(数小时至数天)
  • 相对较小的采样量(<5X5um)
  • 平面图表征可能具有挑战性
  • 具有复杂晶体结构的材料,例如一些陶瓷,可能具有挑战性
  • 需要材料相/结构的先验知识,这可以通过其他技术确定,例如EDS,EELS,XRD等。

PED技术规格

  • 检测到的信号:衍射电子
  • 检测到的元素:所有元素,假设它们以晶体形式存在
  • 检测限:晶粒尺寸> 5nm
  • 深度分辨率:无深度信息
  • 成像/映射:相映射、晶粒取向映射、应变水平映射
  • 横向分辨率/探头尺寸:~ 2nm

PED相关资源

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