服务介绍
电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础，同时又是科技领域中技术密集型学科。详情请咨询客服：4009-621-929
服务范围全国
检测周期5-7个工作日，可加急
相关资质可提供CMA、CNAS检测报告
服务模式快递寄样、现场取样、人工送样
服务对象企事业单位、高等院校、科研院所
服务方向采购销售、竞标投标、生产研发、科研数据、诊断优化、司法服务
检测标准国家标准、行业标准、企业标准、地方标准、国外标准、非标定制
服务内容
半导体材料检测
半导体的检测与分析是一个介于基础研究与应用研究之间的设计内容很广而又不断蓬勃发展的领域，电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础，同时又是科技领域中技术密集型学科。在半导体材料的研究中，电阻率，载流子密度和迁移率是测试的关键参数。目前对半导体材料进行物理和化学研究的方法有很多，如透射电镜、拉曼光谱、电化学C-V、X射线双晶衍射等。康派斯集团在半导体测试领域拥有广泛的能力和资质，基于康派斯现有的实验设备资源进行配置和集成，可覆盖量子材料、超导材料、半金属材料、纳米材料、薄膜材料、绝缘材料等大部分的半导体测试方法和应用。
半导体材料检测范围
元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体等。
半导体材料检测项目
杂质检测、品质因子检测、性能检测、灵敏度检测、外观检测、纯度检测、光学检测、禁带宽度检测、电阻率检测、载流子迁移率检测、非平衡载流子寿命测试、位错密度检测等。
半导体材料检测方法及标准
- DIN 50431-1988 无机半导体材料的检验; 用直线配置的四探针直流法测定硅和锗单晶体的比电阻
- DIN 50433-1-1976 无机半导体材料的检验; 用X 射线测向仪测定单晶体取向
- DIN 50433-2-1976 无机半导体材料的检验; 用反射光影法测定单晶体取向
- DIN 50433-3-1982 半导体材料的检验; 用劳埃反射法测定单晶体取向
- DIN 50434-1986 半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定
- DIN 50435-1988 无机半导体材料的检验; 四探针直流法测定硅或锗片的比电阻径向变化
- DIN 50437-1979 无机半导体材料的检验; 用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
- DIN 50438-1-1995 无机半导体材料的检验;用红外吸收法测定硅中杂质含量:第1部分:氧
- DIN 50439-1982 半导体工艺材料的检验; 用电容--电压法和水银接点确定晶朊半导体材料中掺杂物的断面
- DIN 50440-1998 半导体材料检验.用光导衰减法测定硅单晶复合载流子寿命;在杆上试件上测量
- DIN 50441-1-1996 无机半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量;第1部分:厚度和厚度变化
- DIN 50441-2-1998 半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量.第2部分:倒棱的检验
- DIN 50445-1992 半导体材料检验.电阻测量
- DIN 50446-1995 半导体材料的检验.硅外延层的缺陷类型和缺陷密度的测定
- DIN 50452-1-1995 半导体材料的检验.液体中粒子的分析方法.第1部分:显微镜测定粒子
- GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 6663.1-2007 直热式负温度系数热敏电阻器 第1部分:总规范
- GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
- GB/T 14264-2009 半导体材料术语
- CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985半导体材料 硅制 2N2221型;极性:负极-正极-负极2N2221A型,封装材料:2N2222金属型,接头包装:2N2222A集流器
- CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985半导体材料 硅制 2N2906型;极性:负极-正极-负极2N2906A型,封装材料:2N2907金属型,接头包装:2N2907A集流器
半导体器件检测
对于传统半导体器件，主要通过执行IV、CV表征，实现快速、精准的全方位测量和分析功能。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等宽禁带半导体被广泛应用于射频，超高压等领域，为适应特高压输电，电动汽车充电桩等超高压应用，宽禁带材料一直是研究方向的热点。康派斯作为专业的测试平台，将带您从测试的角度，去剖析并解决半导体从设计到生产过程中带来的一系列新问题。
光电器件则分为发光器件和光探测器两大类。发光器件是把电信号变成光信号的器件，光纤通信用的光源在光纤通信中占有重要的地位，近红外光谱仪实现VCSEL阵列的激光雷达进行3D人脸识别已大规模应用于手机行业，需要测试光谱、光功率等多项关键指标；光探测器是把光信号变成电信号的器件，光电信号具有典型的小信号特性，测试需要进行高速、高精度的电流采集能力。
半导体集成电路，已应用于各类电子产品的方方面面。智能手机、平板电脑、手表等消费电子产品承载多媒体的平台，具有移动处理数据能力，而各种新兴的数字接口技术的发展，是移动多媒体变革的基础。同时，云计算、IOT和人工智能等下一代创新将带来很多新挑战，将重点放在提高数据速率、避免通道损失和符号间干扰、全自动采集和分析以及同时调试物理层和协议层。针对高速串行芯片设计，康派斯提供完整的发送端测试解决方案，配备高带宽实时示波器、高速误码率分析仪、各种探头、一致性测试夹具、一致性测试软件等，支持的标准覆盖各类常用标准。
电子材料检测范围
IC芯片、BGA、IGBT、LED、Wafer、导体、半导体、照明、灯光、灯具、光学、路灯及其它电子元器件等内部质量检测。
电子材料检测项目
失效分析、化学性能测试、金属元素、粒径分布、阴离子测试、有机物分析、无机物分析、环境可靠性测试、老化性能测试、成分分析等。
- 光电热性能及接口测试：温升试验及热分布等。
- 电磁兼容：传导骚扰、磁感应电流辐射、谐波电流、静电放电、浪涌、振铃波抗扰度。
- 安规测试：电气参数、介电强度、绝缘电阻、泄露电流、防触电结构检查、接地规定和导通电阻、爬电距离与电气间隙、球压试验、温升试验。
- 环境及可靠性：高温、低温、温度冲击、恒定湿热、交变湿热、盐雾、振动。
- 材料鉴定：LED灯具光源的封装、芯片、电源及控制器鉴定。
- 照明工程验收：室内外照明亮度、照度测试及模拟；建筑物室内照度、采光测试及分析评价。
解决方案：
- 测试半导体器件I/V特性
- 激光器测试
- 半导体分立器件性能实验
- IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试方案
- 多点位/纳安级漏电流测试解决方案
- 光耦继电器测试实验
- 存储芯片测试方案
- CIS测试方案
- MCU/SoC测试方案
电子材料检测方法及标准
- GB 5594.2-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能杨氏弹性模量 泊松比测试方法
- GB 5594.1-1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 气密性测试方法
- GB/T 12859.1-2012 电子元器件质量评定体系规范 压电陶瓷谐振器
- GB T 16516-1996 石英晶体元件电子元器件质量评定体系规范
- GB/T 5593-2015 电子元器件结构陶瓷材料
- AS 1852.521-1988 国际电工词汇 第521部分:半导体器件和集成电路
- AS 60269.4.0-2005 低压熔断器 第4.0部分:半导体器件保护用熔断器的补充要求(IEC 60269-4:1986/Amd.1:1995) 替代AS 2005.40:1989
- AS/NZS 1102.105-1997 电子技术文件图形符号 第105部分:半导体和电子管 IEC 617-5:1996
- AS/NZS 1660.2.1-1998 电子电缆 包皮 导体的测试方法 方法2.1:绝缘 挤压半导体屏蔽和非金属外壳 综合应用方法 2001年2月1日第一次修订
- AS/NZS 1660.2.2-1998 电子电缆 包皮 导体的测试方法 方法2.2:绝缘 挤压半导体屏蔽和非金属外壳 人造橡胶 XLPE XLPVC材料的特定方法 2001年7月1日第一次修订
- AS/NZS 1660.2.3-1998 电子电缆 包皮 导体的测试方法 方法2.3:绝缘 挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法 2000年6月第一次修订
- AS/NZS 1660.2.4-1998 电子电缆 包皮 导体的测试方法 方法2.4:绝缘 挤压半导体屏蔽和非金属外壳 聚乙烯 聚丙烯材料的特定方法 2001年7月第一次修订
- AS/NZS 1660.2.5-1998 电子电缆 包皮 导体的测试方法 方法2.5:绝缘 挤压半导体屏蔽和非金属外壳 1kV以上电缆的特定方法 2001年2月第一次修订 2001年7月第二次修订
- AS/NZS 3947.4.3-2000 低压开关设备和控制器 第4.3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器 替代AS 1029.2:1982
- ASTM D4325-2013 非金属半导体电绝缘橡胶带测试方法
半导体芯片检测
半导体芯片检测范围
陶瓷半导体芯片，汽车半导体芯片，硅半导体芯片，纳米半导体芯片，手机半导体芯片，碳基半导体芯片等。
半导体芯片检测项目
封装检测，视觉检测，颗粒缺陷检测，X射线检测，光学检测，第三方检测，无损检测，虚焊检测，外观检测，X-ray检测，电阻检测，气密性检测等。
半导体芯片检测方法及标准
- GB/T 35010.1-2018半导体芯片产品 第1部分：采购和使用要求
- GB/T 35010.2-2018半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式
- GB/T 35010.3-2018半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南
- GB/T 35010.5-2018半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求
- SJ 21062-2016半导体芯片产品处理、包装和贮存的操作要求
- CEI EN 62258-6-2007半导体芯片产品第6部分：热模拟信息要求
半导体物理&化学测试方案
一、半导体物理测试方案
1、半导体供应链质量控制DPA
|
外观检查（光学显微镜） |
X-ray 检查 | SAT 检查 |
|
SEM-EDS 电子显微镜 |
IR Reflow 回流焊 | Pre-Condition Test/ MSL |
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De-cap开封 |
Cross-section 截面研磨 | P-lapping 分析 |
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Dual beam FIB |
WBS 绑线拉剪切力 | WBP 绑线拉力 |
2、汽车半导体认证测试AEC-Q
测试标准：AEC-Q100（集成芯片）、AEC-Q103（MEMS）、AEC-Q101（分立半导体）、AEC-Q104（多晶圆及模组体）、AQG-324（功率器件）、AEC-Q102（分立光电半导体）、AEC-Q200（被动元器件）
封装IC：加速环境应力测试、加速寿命模拟试验、封装凹陷测试
3、半导体产品质量管控
|
加速环境应力试验 |
加速寿命模拟试验 |
封装完整性测试 |
|
电性验证测试 |
空腔封装完整性测试 | 无损分析 |
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破坏性分析 |
故障定位分析 | ESD-HBM/MM/CDM/Latch-up |
二、半导体化学测试方案
1、制程环境控制
- 洁净室设计 / 建置 / 训练与顾问服务
- 洁净室效能测试（ISO 14644）
- 空降分子污染（AMC）控制（SEMI F21）
- 超纯水（UPW）检测
- 压缩干燥空气（CDA）检测（ISO 8573）
2、进料检验
- 电子级化学品检测
- 一般气体及电子级气体
- 无尘用品检测
- 晶圆盒 / 包装材料洁净度分析
- 硅片检测 / 晶圆表面污染分析
- 材质溶出试验（SEMI F57）
3、制程设备
- 设备动态颗粒度测试（ISO 14644-14）
- 机台与部件洁净度 / 清洗确认
- 设备环境卫生安全基准（SEMI S2）
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