22纳米鳍式场效应晶体管(TEM)分析研究

鳍式场效应晶体管(FinFET)是现代纳米电子半导体器件制造的基础。

图1示意性地显示了其3D结构设计。栅极环绕凸起的硅翅片上的通道,其中电荷电流在SiGe源极和漏极之间流动。与传统的平面晶体管相比,FinFET在栅极和沟道之间提供了更大的表面积,从而更好地控制了电场,并在“关闭”状态下减少了泄漏。

在本应用纪要中,我们使用Nanolab Technologies最先进的TEM仪器和其他基于TEM的分析技术(包括EELS和PED)对22nm FinFET结构的结构,元素分布和晶体取向进行了研究。

采用原位FIB提除技术,在图50所示的鳍片位置制备~1 nm厚度的TEM薄片。

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