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原子探针断层扫描技术服务

「 可全国寄样/部分地区上门取样 」 「 CMA/CNAS资质报告 」 「 可加急检测 」

原子探针技术概述

该技术依赖于样品表面上单个原子/原子簇的电离和随后的场蒸发。 将样品制成圆锥形尖端的形式,其顶点半径<100 nm。 场蒸发的发生是由于基本直流电压偏置(通常在1-10 kV之间)和脉冲电压(导电样品)或脉冲激光(半导体样品和绝缘样品)引起的。 还可以将样品低温冷却至25-80 K之间,以抑制热晶格振动并改善空间定位。

原子探针断层扫描 (APT) 的理想用途

3D结构分析,例如FinFET,PMOS覆盖层,3D NAND,光伏中的弯曲或不均匀晶界。

纳米级沉淀物和基体分析,用于成分和化学识别,例如金属合金(Al 7075,形状记忆,Ti)。

轻元素分析 — Be、B、Li、C 和 Al,例如锂离子电池。

用于LED,finfet,2D NAND存储器和锂离子电池表面涂层的3D和3D低浓度掺杂剂。

分析类型

元素图: 观察材料/设备中单个化学物质的同质性/异质性和 2D 或 3D 位置是原子探针断层扫描分析的一个重要方面。 通常 2D 地图和 3D 电影用于此分析。

成分变化: APT提供了多种方法来分析成分,例如基于深度或浓度的线轮廓,曲线图和等浓度曲面。

聚类分析: APT非常适合分析矩阵中元素的纳米级(1-10 nm)簇。

掺杂物识别和组成: 识别3D中的掺杂剂位置,其化学成分和数量密度(直到〜10 ppm或5E18原子/ cm3,最好的情况下)可以使用APT获得。

相关研究: STEM,EBIC,EBSD,电子断层扫描和SIMS都是常规用于辅助3D APT数据解释的技术。

具体区域分析: 根据客户要求,可以使用不同分析的组合来更好地了解特定区域。

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