阴极荧光光谱/阴极发光扫描电子显微镜(SEM-CL)检测首选康派斯检测集团，CMA/CNAS认证第三方机构，配备先进设备，提供产品各种性能、成分、含量等一站式检测。配备高分辨率场发射扫描电镜及高性能阴极荧光光谱采集系统，可为半导体材料、矿物岩石、光电材料、陶瓷及涂层等领域提供高灵敏度的阴极发光成像与光谱分析服务。
阴极发光（CL）是高能电子束（阴极射线）与发光材料相互作用时产生的电磁辐射，波长范围覆盖可见光（VIS）至近红外（NIR），携带着样品光学特性与电子结构的丰富信息。该技术广泛应用于半导体材料缺陷表征、矿物岩石结构解析、光电材料发光效率评估及陶瓷涂层相分布分析等领域
使用具有可见光收集功能的专用扫描电子显微镜（SEM），可以同时以亚微米分辨率获取相应的样品结构（SE）和CL发射图。在某些情况下，CL 空间分辨率可以高达 30-50 nm。CL映射可以在横截面（XS）或平面视图（PV）中执行，以表征样品的局部成分，掺杂，结构和缺陷，所有这些都具有非常高的空间分辨率。
SEM-CL理想用途
- 材料表征 – 晶体缺陷、带隙测定、带隙内陷阱状态、成分、掺杂剂
- 半导体故障分析 – 设备内的缺陷定位，以进行更深入的故障分析 （FA）
SEM-CL的优势
阴极发光扫描电子显微镜（SEM-CL）技术凭借其独特的信号机制，在材料分析领域具备以下核心优势：
一、高局域化信息采集
SEM-CL可提供材料光学特性与电子结构的高度局域化信息。电子束在样品表面纳米级区域激发CL信号，实现亚微米甚至纳米尺度光谱采集，精准揭示微观区域内的缺陷分布、能带结构及杂质状态。
二、无需电气连接
与光致发光（PL）或电致发光（EL）技术不同，SEM-CL通过电子束激发产生信号，无需样品制备电气连接或电极接触，对于导电性差或不规则样品具有良好适应性，简化了测试流程并拓展了应用范围。
三、微观形貌与光谱同步分析
SEM-CL可在获取样品表面微观形貌的同时，同步采集对应区域的阴极发光光谱，实现结构与光学特性的原位关联分析，为材料研究提供更全面的数据支撑。
SEM-CL局限性
- 需要发光材料——半导体、聚合物、绝缘体、金属光子结构
- 需要更小的样品，没有大于 1“ 直径的完整晶圆 – 3 mm 高度限制
- 大量的形貌，特别是不均匀的表面粗糙度，会使CL收集和对比度解释更加困难。光滑样品是首选
- 在分析之前，必须去除设备表面上的厚（μms）金属触点。这通常可以通过仔细的化学蚀刻或在特定区域通过聚焦离子束（FIB）来完成
- 局部掺杂剂表征是可能的，但需要仔细选择标准品
SEM-CL技术规格
- 检测到的信号：同时二次电子 （SE） 和阴极发光 （CL）
- 检测到的波长：250-1500 nm
- 成像/映射：是
- 横向分辨率：通常在 20-500 nm 之间变化，具体取决于 SEM 条件和样品成分/拓扑结构
SEM-CL相关资源
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