康派斯检测专注进动电子衍射(PED)检测领域，具备CMA、CNAS资质，检测报告全国通用。涵盖各类产品全检测项目，周期短、数据准。全国服务热线：400-9621-929。
PED分析可在纳米（nm）尺度上提供材料相，晶体结构和染色水平的可视化。PED的典型应用包括相映射，晶粒取向映射，晶粒尺寸分布分析，织构分析，多晶材料的晶界分析和单晶材料的应变水平映射。
PED分析是对其他结构分析技术的重要补充，例如基于扫描电子显微镜（SEM）的电子背散射衍射（EBSD）和X射线衍射（XRD）。PED在透射电子显微镜（TEM）设置下进行，以更高的分辨率提供结构信息的可视化，但通常需要更复杂的样品制备。Eurofins Nanolab是唯一为所有用户提供PED分析服务的服务实验室。
PED理想用途
- 多晶材料的结构分析，如半导体金属线、通过沉积、金属/陶瓷膜、多晶膜：
- 通过相图和晶粒取向图实现材料纳米结构的可视化
- 晶粒尺寸分布和平均晶粒尺寸分析
- 通过极点图优先描述生长方向/纹理信息
- 单晶的应变水平映射，如应变Si/SiGe、III-V族材料量子阱器件
PED优势
进动电子衍射（PED）是一种在透射电镜（TEM）中通过旋转电子束实现近乎运动学衍射条件的技术，在纳米尺度材料结构研究中具备以下核心优势：
一、纳米尺度材料结构可视化
PED通过电子束的进动，有效抑制了动态散射效应，使衍射花样更接近运动学衍射，在纳米尺度上获得高精度、易解析的衍射信息，可清晰呈现纳米晶体的晶带轴取向、晶粒分布及晶体对称性，尤其适用于纳米晶材料、薄膜和多相材料的物相鉴定与晶体取向分析。
二、高应变检测灵敏度
PED具备高应变检测灵敏度，可达到10⁻³级应变检测精度。通过分析衍射斑点的位移和展宽，PED能够精确量化晶格畸变和应变场分布，为半导体异质结构、薄膜应力状态、位错密度评估及界面应变研究提供关键结构信息。
PED局限性
- 显著的样品制备和分析时间（数小时至数天）
- 相对较小的采样量（<5X5um）
- 平面图表征可能具有挑战性
- 具有复杂晶体结构的材料，例如一些陶瓷，可能具有挑战性
- 需要材料相/结构的先验知识，这可以通过其他技术确定，例如EDS，EELS，XRD等。
PED技术规格
- 检测到的信号：衍射电子
- 检测到的元素：所有元素，假设它们以晶体形式存在
- 检测限：晶粒尺寸> 5nm
- 深度分辨率：无深度信息
- 成像/映射：相映射、晶粒取向映射、应变水平映射
- 横向分辨率/探头尺寸：~ 2nm
PED相关资源
康派斯检测集团深耕PED检测领域26年，具备CMA/CNAS双重资质认证，依托先进透射电镜及进动电子衍射系统，提供从样品制备、数据采集到晶体结构解析的全链条技术服务。PED分析是对传统XRD和SEM-EBSD的重要补充，在TEM平台下以更高分辨率提供结构信息的可视化，尤其适用于半导体金属线、金属/陶瓷膜、多晶膜等材料的结构分析。康派斯以精准数据助力纳米材料研发与半导体工艺优化，为材料科学前沿探索提供坚实的技术支撑。
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