康派斯已构建“成像学—光谱学—质谱学—理化学—功能测试”五大技术平台，TXRF与TOF-SIMS、XPS、ICP-MS等技术相结合，可实现对半导体材料从表面污染识别到痕量元素定量的全面表征。无论您是半导体晶圆表面金属污染检测、薄膜质量控制还是痕量元素分析，康派斯均能以精准、高效、权威的检测数据，为您的科研创新与工业品控提供坚实支撑。全反射X射线荧光（TXRF）利用抛光晶圆表面的极低角X射线激发来获得表面金属污染物的浓度。

X射线束的入射角（通常为0.05-0.5°）低于基板的临界角，并将激发限制在样品的最外表面（~顶部80 Å，取决于材料）。样品发出的荧光信号是存在的元素污染物的特征。

表面灵敏度

TOF-SIMS的表面灵敏度使其成为解决问题的良好第一步，可以概述样品中存在的物种类型。然后可以使用其他技术来获取其他信息。TOF-SIMS也是一种可以检测比传统表面分析技术（如XPS和Auger）低得多的物种的技术。

全反射X射线荧光TXRF是一种高度表面敏感的技术，经过优化，可分析半导体晶圆（如硅、碳化硅、砷化镓或蓝宝石）上的表面金属污染。

TXRF理想用途

• 半导体晶圆上的金属表面污染

TXRF优势强项

• 微量元素分析
• 调查分析
• 定量的
• 非破坏性
• 自动分析
• 整晶圆分析（最大 300 mm）
• 可以分析多种衬底，例如硅、碳化硅、砷化镓、InP、蓝宝石、玻璃

TXRF缺点限制

• 无法检测低Z元素（周期图上低于Na）
• 最佳检测限所需的抛光表面

TXRF技术规格

• 检测到的信号：来自晶圆表面的荧光X射线
• 检测到的元素：Na-U
• 检测限：109– 1012在/厘米处2
• 深度分辨率：30 – 80 Å（采样深度）
• 成像/映射：可选
• 横向分辨率/探头尺寸： ~10 mm

TXRF相关资源

• 网络研讨会：TXRF
• 应用资料：TXRF 表面污染解决方案
• 全反射X射线荧光（TXRF）
• 痕量元素分析
• 半导体表面污染物识别
• 光谱学平台总览
• 表面污染测量的整体解决方案

康派斯检测集团具有CMA/CNAS双资质认证，是权威第三方半导体检测机构，具备晶圆级测试能力，覆盖成像学、光谱学、质谱学、理化学、功能测试五大技术平台。提供SEM/TEM形貌分析、XPS成分分析、电学性能测试等服务，数据精准，周期可控。26年技术积淀，8000㎡实验室，助力芯片企业质量管控与研发创新。

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