康派斯检测集团是专业发射率/热辐射比(EV)检测机构，CMA/CNAS双资质认证，26年行业经验，提供各类产品成分、性能、含量等全项检测。8000㎡实验室，500+台设备，服务客户23万+。热线：400-9621-929。

来自物体的热量可以通过三种方法传输：传导、对流和热辐射。 材料通过热辐射损失或吸收能量的有效性取决于其发射率。这是建筑材料（例如砖、瓷砖、窗户）和温度控制（例如 冷却装置和 散热器）的关键参数。  

V热材料发出可见光，室温或室温附近的材料发出红外光。E发射率是表面的热辐射相对于理想黑体在相同温度下的辐射的比率（0和1之间的比率）。 E发射率为0表示材料是完美的反射器，而比率为1表示它是完美的发射器。 表面发射率的测定对于精确的非接触式温度测量和传热计算非常重要。  

表面的发射率取决于材料（即化学和物理性质）、表面的性质（例如光滑或粗糙）、温度、波长和角度。抛光、干净的金属表面将具有低发射率（和高反射率）。另一方面，粗糙的氧化金属表面将具有高发射率。  

发射y可以使用FT-IR光谱仪（作为波长的函数）或通过辐射热计（不考虑发射波长）进行测量。FTIR仪器还配备了显微镜，可以在特定的明确定义位置进行测量。 

EV理想用途

• 材料发射率的表征。最常与产品的热设计相关进行测量
• 了解发射率与温度的关系（发射率可以在温度范围内变化）

EV优势

椭偏光谱法（Spectroscopic Ellipsometry，SE）是一种基于偏振光在样品表面反射或透射后偏振态变化的薄膜表征技术，通过测量偏振态改变量（Ψ和Δ），结合光学模型拟合，精确测定薄膜的厚度、折射率（n）、消光系数（k）及表面粗糙度等参数。该技术在半导体、光学涂层、光伏及生物传感等领域具有广泛应用。其核心优势包括：

一、波长和温度特定测量

椭偏光谱法可在特定波长和温度条件下进行高精度测量。通过多波长扫描（紫外至近红外）或特定波长实时监测，可获取薄膜在不同波长下的光学常数（n、k）及厚度信息。结合变温样品台，还可研究材料光学性质随温度变化的动态响应（如相变温度、热膨胀系数、能带结构变化等），对于半导体材料、相变存储器及光电功能材料的研究具有重要价值。

二、使用显微镜分析小表面积

椭偏光谱法可集成显微镜模块，实现微米级区域（通常为几十至几百微米）的薄膜分析。通过显微镜成像系统，可对微小样品区域、薄膜均匀性、多层膜结构及微观缺陷进行分析，尤其适用于半导体晶圆图案区、MEMS器件、太阳能电池微区及薄膜阵列的高精度表征，满足微纳尺度薄膜检测需求。

EV局限性

• 温度限制在最高600°C
• 样品尺寸范围：直径从 4 mm 到 30 mm

EV技术规格

• 带有发射视口的FTIR。 在视口的前面放置了一个烤箱，可以加热到~600°C
• 通常需要150°C的温度才能获得足够的样品信号，尽管对于高发射率材料（>0.5），较低的温度就足够了

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